«NV-motors» — автосалон

г. Химки, Юбилейный проспект д. 69а
Режим работы ежедневно с 9:00 до 20:00

Всё об освоении космоса

Разделы

Объявления

Реклама

Выяснение причин повышенного газообразования в модели реактора


Выяснение причин повышенного газообразования в модели реактора

В настоящее время в современной электронике широко используют­ся DC-DC преобразователи различных типов. В качестве учебно- исследовательской работы для студентов 3 курса кафедры промышлен­ной электроники предлагается изучить один них — понижающий пре­образователь. В рамках группового проектного обучения было решено создать универсальный преобразователь постоянного тока с системой управления переключением силового ключа схемы с помощью однотактной нереверсивной модуляции первого рода (ОНМ-1), а именно широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

Были созданы и промоделированы модели указанного преобразова­теля с помощью пакетов САПР математического и схематического мо­делирования. Математическая модель построена с помощью программы MatLAb. Для создания модели найдено аналитическое решения ОДУ, составленной по схеме преобразователя с базовым набором элементов |1], идеальными транзистором и диодом. Выходным файлом программы в данной работе является форма с временными диаграммами напряже­ния и тока на выходе преобразователя, а также управляющего напряже­ния ключа (рис. 1).

Моделирование электронной схемы проводилось в пакете SwitcherCAD (LTspice). На рис. 2 представлены временые диаграммы выходного напряжения и тока той же схемы, что и в MatLAB. Также были получены временные диаграммы при использовании мягкой коммутации ранзистора и реальных диодов. Из полученных ре­зультатов следует, что методы решения модели изучаемого преобразо­вателя в используемых пакетах различны. На графиках на рис.1 большее перерегулирование и время переходных процессов, а также амплитуда колебаний. В математическом моделировании используется обратная связь при формировании модулирующего управляющего сигнала тран­зистора, поэтому эти данные более достоверны.

В дальнейшем планируется построение математической модели учи­тывающей реальные параметры полупроводниковых приборов, а также с элементами, обеспечивающими мягкую коммутацию транзистора. В пакете SwitcherCAD необходимо построить модель с использованием интеллектуального, адаптивного управления транзистора. Результаты данной работы требуются для более глубокого понимания процессов, происходящих в схеме преобразователя, и, следовательно, для более эффективного проектирования приборов на основе преобразования по­стоянного тока.

Поделиться…

Запись имеет метки: ОНМ-1, преобразователь

Навигация

Предыдущая статья: ← Выяснение причин повышенного газообразования в модели реактора

Следующая статья: Модель оценки энергоэффективности систем электроснабжения промышленных предприятий →

В этой же рубрике: